晶體管測(cè)試儀可測(cè)試儀性能穩(wěn)定，能自動(dòng)讀出準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，使用方便，適用于電子愛(ài)好者、電子開(kāi)發(fā)者、設(shè)計(jì)者、與電子維修者必需小儀器。它可測(cè)各種二極管，三極管，可控硅，MOS場(chǎng)效應(yīng)管;
 

　　能判斷器件類型，引腳的極性，輸出HFE，閥電壓，場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)電容，附加條件可測(cè)電容和電阻等。特別適合晶體管配對(duì)和混雜表貼元件識(shí)別。
 

　　下面讓我們一起來(lái)了解一下晶體管測(cè)試儀的操作步驟及注意事項(xiàng)吧
 

　　1. 按下電源開(kāi)關(guān)，指示燈亮，預(yù)熱15分鐘后，即可進(jìn)行測(cè)試。
 

　　2. 調(diào)節(jié)輝度、聚焦及輔助聚焦，使光點(diǎn)清晰。
 

　　3. 將峰值電壓旋鈕調(diào)至零，峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開(kāi)關(guān)置于測(cè)試所需位置。
 

　　4. 對(duì)X、Y軸放大器進(jìn)行10度校準(zhǔn)。
 

　　5. 調(diào)節(jié)階梯調(diào)零。
 

　　6. 選擇需要的基極階梯信號(hào)，將極性、串聯(lián)電阻置于合適擋位，調(diào)節(jié)級(jí)/簇旋鈕，使階梯信號(hào)為10級(jí)/簇，階梯信號(hào)置重復(fù)位置。
 

　　7. 插上被測(cè)晶體管，緩慢地增大峰值電壓，熒光屏上即有曲線顯示。
 

　　晶體管測(cè)試儀的使用注意事項(xiàng)
 

　　為保證儀器的合理使用，既不損壞被測(cè)晶體管，也不損壞儀器內(nèi)部線路，在使用儀器前應(yīng)注意下列事項(xiàng)：
 

　　1. 對(duì)被測(cè)管的主要直流參數(shù)應(yīng)有一個(gè)大概的了解和估計(jì)，特別要了解被測(cè)管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。
 

　　2. 選擇好掃描和階梯信號(hào)的極性，以適應(yīng)不同管型和測(cè)試項(xiàng)目的需要。
 

　　3. 根據(jù)所測(cè)參數(shù)或被測(cè)管允許的集電極電壓，選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下，應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零，更改掃描電壓范圍時(shí)，也應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零。選擇一定的功耗電阻，測(cè)試反向特性時(shí)，功耗電阻要選大一些，同時(shí)將X、Y偏轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)置于合適擋位。測(cè)試時(shí)掃描電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。
 

　　4. 對(duì)被測(cè)管進(jìn)行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，一般宜先小一點(diǎn)，再根據(jù)需要逐步加大。測(cè)試時(shí)不應(yīng)超過(guò)被測(cè)管的集電極最大允許功耗。
 

　　5. 在進(jìn)行ICM的測(cè)試時(shí)，一般采用單簇為宜，以免損壞被測(cè)管。
 

　　6. 在進(jìn)行IC或ICM的測(cè)試中，應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實(shí)際情況選擇，不應(yīng)超過(guò)本儀器規(guī)定的最大電流。
 

　　7. 進(jìn)行高壓測(cè)試時(shí)，應(yīng)特別注意安全，電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。觀察完畢，應(yīng)及時(shí)將峰值電壓調(diào)到零。